vmware 共享文件夹 此博文包含图片 (2008-06-21 13:20:22) 通过共享文件夹，你可以方便的在虚拟机和宿主机之间共享文件。如果你想用共享文件夹，你必须在客户机中安装与VMworkstation版本相同的vm-tools并且在你的虚拟机设置中指定共享目录。VMware Workstation 5包含了性能增强了的共享文件夹功能。你能够使用共享文件夹功能在以下客户操作系统中： Windows Server 2003 Windows XP Windows 2000 Windows NT 4.0 拥有2.4版或更高版本核心的Linux不支持98客户机http://www.vmware.cn/Article/UploadFiles/200604/20060420231643580.jpg共享文件夹" />为一个虚拟机设置一个或者多个共享文件夹，确信虚拟机和Workstation是断开的，点击它的选项卡激活虚拟机（在收藏夹中）。选择 虚拟机 〉设置 〉选项 并点选共享文件夹选项。http://www.vmware.cn/Article/UploadFiles/200604/20060420231646270.jpg共享文件夹" />你能在列表中添加一个或者多个目录。那些目录可以在宿主机上或者宿主机能够访问到的网络上。在Windows宿主机中添加共享文件夹1.选择 虚拟机 〉设置2.选择 选项3.点选 共享文件夹4.点击Add按钮 打开共享文件夹向导 并点下一步http://www.vmware.cn/Article/UploadFiles/200604/20060420231646294.jpg共享文件夹" />5.输入共享文件夹名字和位置 并点下一步http://www.vmware.cn/Article/UploadFiles/200604/20060420231646425.jpg共享文件夹" />Name —— 这个名字将出现在虚拟机内 Host folder —— 在宿主机中你想共享的文件夹路径。可以通过输入路径名字或浏览到目录确定路径。6.确定共享文件夹属性。http://www.vmware.cn/Article/UploadFiles/200604/20060420231647434.jpg共享文件夹" />Enable this share —— 选择这个选项来启用共享文件夹功能。不选择这个选项将禁用这个共享文件夹但不从虚拟机配置中删除它。你可以添加一个共享文件夹在列表中但不马上启用它。你以后也能够随时在列表中点选启用这个共享文件夹，点属性按钮钩选属性对话框的启用文件夹选项即可。 Read-only —— 这个选项用来防止虚拟机改变宿主机文件系统中的共享文件夹里的内容。访问被宿主机权限设置所配置的共享文件夹中的文件。 Disable after this session —— 选择这个选项当虚拟机关机或挂起时禁用虚拟机连接到共享文件夹。不选择这个选项共享文件夹将总是能用。7.点完成。访问一个共享文件夹共享文件夹的出现非常的不同，依靠的是客户操作系统。以下部分将详细描述在Windows和Linux客户机中访问共享文件夹。注意：你能用共享文件夹共享任何格式的文件。无论怎么样，windows的快捷方式和Linux系统的符号连接不能通过共享文件夹（路径）来工作。 注意：不能同时用多个应用程序来打开一个文件。举个例子，你不能同时用宿主机的一个应用程序和客户机中的另外一个应用程序打开同一个文件。在一些时候，这样做将导致文件中的数据被破坏。在Windows客户机中访问共享夹在Windows客户操作系统中，你能够用Windows Explorer访问共享文件夹。或者通过查看系统中整个网络（NT核心客户操作系统里的网上邻居）下的VMware Shared Folders网络来访问共享文件夹。注意：如果你寻找网上邻居图标有困难得话，可以用资源浏览器里点选网上邻居方法代替。举个例子，如果你指定test为你的共享文件夹名字，你可以通过打开网上邻居 〉整个网络 〉VMware Shared Folders 〉\.host 〉\.host\Shared Folders 〉test 来定位共享文件夹。你也能够直接输入通用命名标准表示的路径\\.host\Shared Folders\test直接定位共享文件夹。http://www.vmware.cn/Article/UploadFiles/200604/20060420231647555.jpg共享文件夹" />你也能够映射这个共享文件夹为一个驱动盘，就像一个网络共享一样。步骤如下：http://www.vmware.cn/Article/UploadFiles/200604/20060420231647202.jpg共享文件夹" />http://www.vmware.cn/Article/UploadFiles/200604/20060420231647552.jpg共享文件夹" />http://www.vmware.cn/Article/UploadFiles/200604/20060420231647113.jpg共享文件夹" />注意：如果你的客户机安装的是Workstation 4.0版本的vm-tools，共享文件夹将拥有一个被指定的一个盘符。在Linux客户机中访问共享文件夹在Linux虚拟机中，共享文件夹出现在/mnt/hgfs目录里。通过点选文件夹名并右击弹出菜单点属性，来改变目录中共享文件夹的设置。属性对话框出现。修改你想要的设置，然后点OK。 注意：即使hgfs文件夹权限设置似乎要求你必须拥有root用户的特权来向这个文件夹写入，但是不管你是否用root登录系统，任何用户都能够向这个共享文件夹里写东西。我在Linux虚拟机中的操作截图：在Red Hat Enterprise Linux AS 4原先安装了13124版本的vm-tools，却使用的是19175版的虚拟机，在/mnt/hgfs看不到任何文件夹。把vm-tools升级到19175版后就能正常在/mnt/hgfs中看到shared folder了。所以说“To use shared folders, you must have the current version of VMware Tools installed in the guest operating system and you must configure your virtual machine settings to specify which directories are to be shared.” 通过Shared Folder在Red Hat Enterprise Linux AS 4下显示windows的根目录http://www.vmware.cn/Article/UploadFiles/200604/20060420231648114.jpg共享文件夹" />Linux客户机向宿主机传递文件http://www.vmware.cn/Article/UploadFiles/200604/20060420231648539.jpg共享文件夹" />宿主机向Linux客户机传文件http://www.vmware.cn/Article/UploadFiles/200604/20060420231648500.jpg共享文件夹" />遇到这种名字的文件，就不能传递了http://www.vmware.cn/Article/UploadFiles/200604/20060420231649723.jpg共享文件夹" />http://www.vmware.cn/Article/UploadFiles/200604/20060420231649856.jpg共享文件夹" />RedHatLinux9中使用了13124版本的vm-tools（VM workstation 为19175版）版本不统一，造成shared folder复制不成功。http://www.vmware.cn/Article/UploadFiles/200604/20060420231649710.jpg共享文件夹" />摘自：http://blog.csdn.net/liuzhongxf/archive/2008/03/03/2143677.aspx

Verilog HDL无符号数和有符号数运算 (2008-06-20 16:18:08) 执行算术操作和赋值时，注意哪些操作数为无符号数、哪些操作数为有符号数非常重要。无符号数存储在：线网一般寄存器基数格式表示形式的整数　　有符号数存储在：整数寄存器十进制形式的整数　　下面是一些赋值语句的实例：reg [0:5] Bar;integer Tab;. . .Bar = -4'd12; //寄存器变量Bar的十进制数为52，向量值为110100。Tab = -4'd12; //整数Tab的十进制数为-12，位形式为110100。-4'd12 / 4 //结果是1073741821。-12 / 4 //结果是-3　　因为Bar是普通寄存器类型变量，只存储无符号数。右端表达式的值为'b110100（12的二进制补码）。因此在赋值后，Bar存储十进制值52。在第二个赋值中，右端表达式相同，值为'b110100，但此时被赋值为存储有符号数的整数寄存器。Tab存储十进制值－12（位向量为110100）。注意在两种情况下，位向量存储内容都相同；但是在第一种情况下，向量被解释为无符号数，而在第二种情况下，向量被解释为有符号数。　　下面为具体实例：Bar = - 4'd12/4;Tab = - 4'd12 /4;Bar = - 12/4Tab = - 12/4　　在第一次赋值中，Bar被赋于十进制值61（位向量为111101）。而在第二个赋值中，Tab被赋于与十进制1073741821（位值为0011...11101）。Bar在第三个赋值中赋于与第一个赋值相同的值。这是因为Bar只存储无符号数。在第四个赋值中，Bar被赋于十进制值－3。　　下面是另一些例子：Bar = 4 - 6;Tab = 4 - 6;Bar被赋于十进制值62（－2的二进制补码），而Tab被赋于十进制值－2（位向量为111110）。　　下面为另一个实例：Bar = -2 + (-4);Tab = -2 + (-4);Bar被赋于十进制值58（位向量为111010），而Tab被赋于十进制值－6（位向量为111010）。因为VERILOG对reg跟wire型变量的乘法（)都默认为无符号数相乘，所以不能直接用号来表示。我是这样处理的：先把两个操作数变为源码，再用FOR循环进行移位相加，结果是对的，但是综合出来的结果占有的资源比较多，比直接调用QUARTUS库里的乘法器占用资源多百分之二十左右。请问各位大侠对有符号数的乘法是怎样进行的？谢谢讨论!如果你用verilog2001，可以直接声明有符号数，做有符号数乘法，你再用synplify综合一下看看资源如何。module multiplier_8by8 (a, b, product);input signed [7:0] a, b;output signed [15:0] product;assign product = a * b;endmodule

抑制功率二极管反向恢复几种方案的比较 此博文包含图片 (2008-06-19 15:31:58) 抑制功率二极管反向恢复几种方案的比较摘要：介绍了开关电源中常见的二极管反向恢复问题，并以Buck电路为例对解决这一?题常用的几种方案进行了比较。 关键词：二极管；反向恢复；抑制方案引言高频功率二极管在电力电子装置中的应用极其广泛。但PN结功率二极管在由导通变为截止状态过程中，存在反向恢复现象。这会引起二极管损耗增大，电路效率降低以及EMI增加等问题。这一问题在大功率电源中更加突出。常用RC吸收、串入饱和电抗器吸收、软开关电路等开关软化方法加以解决，但关于其效果对比的研究报道尚不多见。本文以Buck电路为例，对这几种方案进行了比较，通过实验及仿真得出有用的结论。http://www.avrw.com/article/pic/200685172339734.gif1 二极管反向恢复原理以普通PN结二极管为例，PN结内载流子由于存在浓度梯度而具有扩散运动，同时由于电场作用存在漂移运动，两者平衡后在PN结形成空间电荷区。当二极管两端有正向偏压，空间电荷区缩小，当二极管两端有反向偏压，空间电荷区加宽。当二极管在导通状态下突加反向电压时，存储电荷在电场的作用下回到己方区域或者被复合，这样便产生一个反向电流。2 解决功率二极管反向恢复的几种方法为解决功率二极管反向恢复问题已经出现了很多种方案。一种思路是从器件本身出发，寻找新的材料力图从根本上解决这一问题，比如碳化硅二极管的出现带来了器件革命的曙光，它几乎不存在反向恢复的问题。另一种思路是从拓扑角度出发，通过增加某些器件或辅助电路来使功率二极管的反向恢复得到软化。目前，碳化硅二极管尚未大量进入实用，其较高的成本制约了普及应用，大量应用的是第二种思路下的软化电路。本文以一个36V输入、30V/30A输出、开关频率为62.5kHz电路（如图1所示）为例，比较了几种开关软化方法。http://www.avrw.com/article/pic/200685172339580.gif 2．1 RC吸收这是解决功率二极管反向恢复问题的常用方法。在高频下工作的功率二极管，要考虑寄生参数。图2(a)为电路模型，其中D为理想二极管，Lp为引线电感，Cj为结电容，Rp为并联电阻（高阻值），Rs为引线电阻。RC吸收电路如图2（b）所示，将C1及R1串联后并联到功率二极管D0上。二极管反向关断时，寄生电感中的能量对寄生电容充电，同时还通过吸收电阻R1对吸收电容C1充电。在吸收同样能量的情况下，吸收电容越大，其上的电压就越小；当二极管快速正向导通时，C1通过R1放电，能量的大部分将消耗在R1上。2.2 串联饱和电抗器这是解决这一问题的另一种常用方法，如图2（c）所示。一般铁氧体(Ferrite)磁环和非晶合金(Amorphous)材料的磁环都可以做饱和电抗器。根据文献[1]，用饱和电抗器解决二极管反向恢复问题时，常用的锰锌铁氧体有效果，但是能量损失比非晶材料大。随着材料技术的进展，近年来非晶饱和磁性材料性能有了很大提高。本文选用了东芝公司的非晶材料的磁环(型号：MT12×8×4.5W)绕2匝作饱和电抗器。对应图3（a）和图3（b），第Ⅰ阶段通过D0的电流很大，电抗器Ls饱和，电感值很小；第Ⅱ阶段当二极管电流开始下降时，Ls仍很小；第Ⅲ阶段二极管电流反向，反向恢复过程开始(trr为反向恢复时间)，Ls值很快增大，抑制了反向恢复电流的增大，这样就使电流变成di/dt较小的软恢复，使二极管的损耗减小，同时抑制了一个重要的噪声源；第Ⅳ阶段二极管反向恢复结束；第Ⅴ阶段二极管再次导通，由于电流增大，Ls很快饱和。http://www.avrw.com/article/pic/200685172340621.gif 2．3 软开关电路图2（d）为一种有效的二极管反向恢复软化电路[2]。Lk为变压器漏感。n为变压器匝比，这里取n=3，其工作过程如图4所示。阶段1如图4(a)所示，开关S已经导通，D0处于反向截止状态，励磁电感Lm与漏感Lk被线性充电。阶段2开关S关断，S的寄生电容Cp被充电，该过程很短，可近似看作线性，如图4(b)所示。阶段3D0及Db均导通，如图4(c)所示。阶段4二极管D0中的电流在漏感Lk的作用下逐渐下降为0，如图4(d)所示。阶段5开关S导通，如图4（e）所示，支路二极管Db中的电流继续下降，在S关断前下降为0。http://www.avrw.com/article/pic/200685172340360.gif 图4(c)中D0导通，uD0≈0，当到图4(d)状态，uD0=－u2=u0/(1＋n)，图5(d)的试验波形验证了这一点。3 实验结果图5给出了各种情况下的二极管D0的端电压波形。从图5波形中可以看到，二极管反向恢复的电压毛刺减小，说明3种方案对二极管反向恢复均有抑制的效果。用RC吸收电路虽然抑制了二极管反向恢复，但反向恢复的电压毛刺与振荡还比较明显。采用软化电路后如前分析，理论上反向恢复电流应该降为零，但由于电路中杂散参数的影响，二极管关断过程中电压波形还有振荡。串入饱和电抗器对二极管反向恢复抑制效果最好。http://www.avrw.com/article/pic/200685172341371.gif4 结语碳化硅的推广应用或许是二极管反向恢复问题的根本解决途径。目前主要采用RC吸收电路。串联饱和电抗器以及软化电路也是抑制二极管反向恢复的有效方案。理论分析和试验证明，串联非晶饱和电抗器最为简单有效，有望得到进一步推广。(综合电子论坛)

肖特基二极管和快恢复二极管又什么区别 (2008-06-19 15:31:25) 肖特基二极管和快恢复二极管又什么区别 快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管（5us以下），工艺上多采用掺金措施，结构上有采用PN结型结构，有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管（1-2V），反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在100纳秒以下。 肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管，简称肖特基二极管(Schottky Barrier Diode），具有正向压降低（0.4--0.5V）、反向恢复时间很短（10-40纳秒），而且反向漏电流较大，耐压低，一般低于150V，多用于低电压场合。 这两种管子通常用于开关电源。肖特基二极管和快恢复二极管区别：前者的恢复时间比后者小一百倍左右，前者的反向恢复时间大约为几纳秒~！前者的优点还有低功耗，大电流，超高速~！电气特性当然都是二极管阿~！快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件.肖特基二极管：反向耐压值较低40V-50V，通态压降0.3-0.6V，小于10nS的反向恢复时间。它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为N型半导体。这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。快恢复二极管：有0.8-1.1V的正向导通压降，35-85nS的反向恢复时间，在导通和截止之间迅速转换，提高了器件的使用频率并改善了波形。快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件.

异质结 此博文包含图片 (2008-06-19 15:30:31) 1 异质结【heterojunction】【】 两种不同的半导体相接触所形成的界面区域。按照两种材料的导电类型不同，异质结可分为同型异质结（P-p结或N-n结）和异型异质(P-n或p-N)结，多层异质结称为异质结构。通常形成异质结的条件是：两种半导体有相似的晶体结构、相近的原子间距和热膨胀系数。利用界面合金、外延生长、真空淀积等技术，都可以制造异质结。异质结常具有两种半导体各自的PN结都不能达到的优良的光电特性，使它适宜于制作超高速开关器件、太阳能电池以及半导体激光器等。 2 同质结就是同一种半导体形成的结，包括pn结，pp结，nn结。 异质结就是不同半导体形成的结，包括pn结，np结，pp结，nn结。 还有相关问题可以给我发消息。3 一种半导体材料生长在另一种半导体材料上所形成的接触过渡区称谓异质结，依照二种材料的导电类型分为同型异质结(Pp或Nn)或异型（Pn或Np）异质结，多层异质结则称为异质结构。 　1949年W.肖克莱发明晶体管时就曾设想过利用异质结宽带隙发射极单向注入的特点提高发射极的注入比，从而企望获得更大的晶体管电流放大系数，但大量的实验研究工作则开始于60年代初期外延生长技术发展之后。 　至少有三十种以上的异质结对材料被研究过，按其二种材料点阵常数 file:///C:/DOCUME~1/ADMINI~1/LOCALS~1/Temp/ksohtml/wps_clip_image1.jpg悬挂键密度作为大致区分这二种类型异质结的界限。 　目前三元系、四元系固溶体材料外延生长技术的发展已使得从实验上可得到接近理想匹配的异质结。 　由于二种异质材料具有不同的物理化学参数（例如电子亲和势、带结构、介电常数和点阵常数等），因而导致在接触界面处产生了各种物理化学属性的失配，使异质结具有许多不同于同质PN结的新特性。例如，在光学方面异质结具有窗口效应、波导效应，在电学方面则有单向注入效应和对注入载流子的空间局域限制效应等，因此近20年来对异质结材料和器件的研究工作非常活跃，尤以file:///C:/DOCUME~1/ADMINI~1/LOCALS~1/Temp/ksohtml/wps_clip_image3.jpg)秒量级，可与目前超导约瑟夫森结器件（见约瑟夫森效应）相媲美。另一活跃的异质结研究课题即量子尺寸超薄层异质结构激光器，人们称为量子阱激光器，它有很多新特点，例如谱线很窄，温度系数很小，可调谐等。总之它是一种新颖的量子效应功能器件。4 异质结　　一种半导体材料生长在另一种半导体材料上所形成的接触过渡区。依照两种材料的导电类型分同型异质结（P-p结或N-n结）和异型异质(P-n或p-N)结。多层异质结称为异质结构。 　　W.B.肖克莱发明晶体管时就曾设想利用异质结宽带隙发射极单向注入的特点来提高发射极的注入比，从而获得晶体管更大的电流放大系数。但直到60年代初期外延生长技术发展之后，实验研究才广泛开展起来。 　　到80年代，人们研究的异质结对材料已超过30种。按照两种材料晶格常数的失配程度，异质结可分为两类，即匹配型异质结和失配型异质结,前者以GaAs/Ge为代表，后者以Ge/Si为代表,其失配度墹ɑ/ɑ0（ɑ0为母体材料晶格常数，墹ɑ为外延异质材料晶格常数与母体材料晶格常数差值）分别为0.08％和4.1％,相应的失配悬挂键密度为1×1012/厘米2及1×1014/厘米2,通常以1×1013/厘米2悬挂键密度作为大致区分这两种类型异质结的界限。 　　利用现代三元系、四元系固溶体材料外延生长技术可得到接近理想匹配的异质结。 　　由于两种异质材料具有不同的物理化学参数（如电子亲和势、 带结构、介电常数、晶格常数等）, 接触界面处产生各种物理化学属性的失配，使异质结具有许多不同于同质PN结的新特性。例如，在光学上有窗口效应、波导效应，在电学上有单向注入效应和对注入载流子的空间定域限制效应等。因此60年代以来人们十分重视对异质结材料和器件的研究，尤以Ⅲ－Ⅴ族材料异质结光电子器件为最，其代表性成就为室温下连续波工作寿命达百万小时的AlGaAs／GaAs双异质结激光器(DHLD)的问世，促使大容量光纤通信的研究进入工程实用阶段。另一成就是对调制掺杂场效应晶体管的研究,它采用(AlGaAs)file:///C:/DOCUME~1/ADMINI~1/LOCALS~1/Temp/ksohtml/wps_clip_image4.png提供，这就解决了高传输速率和低内阻抗的矛盾，使器件响应速度达到13～17皮秒，可与超导约瑟逊器件相媲美。异质结的另一个研究课题是量子尺寸超薄层异质结构激光器，即量子阱激光器。它有很多新特点，例如谱线窄，温度系数小，可调谐等。这是一种新颖的量子效应功能器件。